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SUMMARY:Schmult: MBE-Wachstum funktionaler GaN-basierter Heterostrukturen
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DESCRIPTION:Speaker: Dr. rer. nat. Stefan Schmult\nInstitute of Speaker: TU
  Dresden\, IHM\, Nanoelektronik\nTopics:\nPhysik\n Location:\n  Name: Onli
 ne ()\n  Street:  \n  City:  \n  Phone: \n  Fax: \nDescription: 635. ELEKT
 ROTECHNISCHES KOLLOQUIUM    Aufgrund der 3.4 eV großen Bandlücke und hoh
 en Elektronensättigungsgeschwindigkeit von Galliumnitrid (GaN) sind Bauel
 emente basierend auf diesem Verbindungshalbleiter vielversprechende Kandid
 aten für zukünftige Hochleistungs- und Hochfrequenzanwendungen. Ein Schl
 üsselelement hierfür ist das polarisationsinduzierte Einschlusspotential
  an GaN/AlGaN-Grenzflächen\, in welchem sich ein hochbewegliches zweidime
 nsionales Elektronengas (2DEG) ausbilden kann. Kürzlich konnten wir nachw
 eisen\, dass die Existenz dieses 2DEG von der Kristallverunreinigung in MB
 E-gewachsenen Heterostrukturen abhängt. Dies stellt einen neuen Pfad für
  die Realisierung von selbstsperrenden und lichtsensitiven GaN-basierten F
 eldeffekttransistoren dar. Die Kombination von ultrareinen GaN/AlGaN-Stape
 ln gewachsen auf GaN-Einkristallen führte weiterhin zum Nachweis von grun
 dlegenden physikalischen Phänomenen\, wie z.B. der optischen Detektion vo
 n Landauniveaus.    Web-Meeting mit Zugangsdaten gemäß Einladung
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