Revisiting Cu in Bi2Te3 based compounds
- Datum
- 12.05.2026
- Zeit
- 09:00 - 10:00
- Sprecher
- Dr. Wenjie Xie
- Zugehörigkeit
- Technical University of Darmstadt
- Sprache
- en
- Hauptthema
- Materialien
- Host
- Martina Javorka
- Beschreibung
- The effects of Cu impurities in bismuth telluride, discovered during thermoelectric device manufacturing, have been known for decades. However, the precise structural site occupied by Cu atoms and its resulting doping mechanism remain unclear. Cu is observed to increase charge carrier concentration in both p- and n-type Bi₂Te₃. This leads to two conflicting hypotheses: (1) Cu intercalates in the van der Waals gaps, acting as an electron donor, or (2) Cu substitutes for Bi/Sb, which would act as an electron acceptor—a model at odds with its n-type doping capability. This talk will elucidate these contradictory findings by employing the framework of defect chemistry. We will use existing experimental data to develop a general model that explains the doping behavior of Cu in bismuth telluride.
- Links
Letztmalig verändert: 08.05.2026, 07:36:10
Veranstaltungsort
Leibniz Institut für Festkörper- und Werkstoffforschung Dresden (D2E.27, IFW Dresden)Helmholtzstraße2001069Dresden
- Homepage
- http://www.ifw-dresden.de
Veranstalter
Leibniz Institut für Festkörper- und Werkstoffforschung DresdenHelmholtzstraße2001069Dresden
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