MBE-Wachstum funktionaler GaN-basierter Heterostrukturen

Datum

03.02.2021

Zeit

16:30 - 18:00

Sprecher

Dr. rer. nat. Stefan Schmult

Zugehörigkeit

TU Dresden, IHM, Nanoelektronik

Sprache

de

Hauptthema

Elektro- u. Informationstechnik

Andere Themen

Physik

Host

Prof. Dr.-Ing. Steffen Großmann

Beschreibung

635. ELEKTROTECHNISCHES KOLLOQUIUM Aufgrund der 3.4 eV großen Bandlücke und hohen Elektronensättigungsgeschwindigkeit von Galliumnitrid (GaN) sind Bauelemente basierend auf diesem Verbindungshalbleiter vielversprechende Kandidaten für zukünftige Hochleistungs- und Hochfrequenzanwendungen. Ein Schlüsselelement hierfür ist das polarisationsinduzierte Einschlusspotential an GaN/AlGaN-Grenzflächen, in welchem sich ein hochbewegliches zweidimensionales Elektronengas (2DEG) ausbilden kann. Kürzlich konnten wir nachweisen, dass die Existenz dieses 2DEG von der Kristallverunreinigung in MBE-gewachsenen Heterostrukturen abhängt. Dies stellt einen neuen Pfad für die Realisierung von selbstsperrenden und lichtsensitiven GaN-basierten Feldeffekttransistoren dar. Die Kombination von ultrareinen GaN/AlGaN-Stapeln gewachsen auf GaN-Einkristallen führte weiterhin zum Nachweis von grundlegenden physikalischen Phänomenen, wie z.B. der optischen Detektion von Landauniveaus. Web-Meeting mit Zugangsdaten gemäß Einladung

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Letztmalig verändert: 26.01.2021, 08:51:24